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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > 2SA08850R

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5801441

Imagem 2SA08850R.

Panasonic

2SA08850R

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

2SA08850R
Fabricante / Marca

Panasonic
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PNP 35V 1A TO-126
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

2SA08850R.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

35V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA
Tipo transistor

PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-126B-A1
Série

-
Power - Max

5W
Embalagem

Bulk
Caixa / Gabinete

TO-225AA, TO-126-3
Outros nomes

2SA0885
2SA0885-ND
2SA885
2SA885-ND
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

200MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 35V 1A 200MHz 5W Through Hole TO-126B-A1
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 500mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max)

100µA
Atual - Collector (Ic) (Max)

1A

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