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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > DRA2114Y0L

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163260

DRA2114Y0L

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$0.048

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DRA2114Y0L
Fabricante / Marca

Panasonic
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

DRA2114Y0L.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor

PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

Mini3-G3-B
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

10 kOhms
Power - Max

200mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes

DRA2114Y0L-ND
DRA2114Y0LTR
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

11 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount Mini3-G3-B
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA
Número da peça base

DRA2114

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Forma de pagamento

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Fabricantes: Panasonic

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