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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > UNR411H00A

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Imagem UNR411H00A.

Panasonic

UNR411H00A

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Especificações

Modelo do Produto

UNR411H00A
Fabricante / Marca

Panasonic
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

UNR411H00A.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor

PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

NS-B1
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

10 kOhms
Resistor - Base (R1)

2.2 kOhms
Power - Max

300mW
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

NS-B1
Outros nomes

UNR411H00ACT
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

80MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 300mW Through Hole NS-B1
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA

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