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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > UNR42160RA

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Imagem UNR42160RA.

Panasonic

UNR42160RA

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

UNR42160RA
Fabricante / Marca

Panasonic
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

UNR42160RA.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor

NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

NS-B1
Série

-
Resistor - Base (R1)

4.7 kOhms
Power - Max

300mW
Embalagem

Tape & Box (TB)
Caixa / Gabinete

NS-B1
Outros nomes

UNR42160RATB
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

150MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 300mW Through Hole NS-B1
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA

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