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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > UNR511800L

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Imagem UNR511800L.

Panasonic

UNR511800L

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$0.143

500+

$0.115

1000+

$0.088

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

UNR511800L
Fabricante / Marca

Panasonic
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

UNR511800L.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor

PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

SMini3-G1
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

5.1 kOhms
Resistor - Base (R1)

510 Ohms
Power - Max

150mW
Embalagem

Original-Reel®
Caixa / Gabinete

SC-70, SOT-323
Outros nomes

UNR511800LDKR
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequência - Transição

80MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 150mW Surface Mount SMini3-G1
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA

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