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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > UNR511M00L

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Imagem UNR511M00L.

Panasonic

UNR511M00L

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

UNR511M00L
Fabricante / Marca

Panasonic
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

UNR511M00L.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor

PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

SMini3-G1
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

2.2 kOhms
Power - Max

150mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SC-70, SOT-323
Outros nomes

UN511M-(TX)
UN511M-TX
UN511MTR
UN511MTR-ND
UNR511M00LTR
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

80MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 150mW Surface Mount SMini3-G1
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA

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