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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > QJD1210SA1

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QJD1210SA1

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

QJD1210SA1
Fabricante / Marca

Powerex, Inc.
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.QJD1210SA1.pdf
2.QJD1210SA1.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.6V @ 34mA
Embalagem do dispositivo fornecedor

Module
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

17 mOhm @ 100A, 15V
Power - Max

520W
Embalagem

Bulk
Caixa / Gabinete

Module
Temperatura de operação

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

8200pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

330nC @ 15V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica FET

Standard
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

1200V (1.2kV)
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A 520W Chassis Mount Module
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

100A

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Forma de pagamento

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