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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > 2SK1058-E
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3561514Imagem 2SK1058-E.Renesas Electronics America

2SK1058-E

Inquérito On-line

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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    2SK1058-E
  • Fabricante / Marca
    Renesas Electronics Corporation
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    2SK1058-E.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±15V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    TO-3P
  • Série
    -
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    -
  • Dissipação de energia (Max)
    100W (Tc)
  • Embalagem
    Tube
  • Caixa / Gabinete
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Temperatura de operação
    150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Through Hole
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    600pF @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    -
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    160V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 160V 7A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    7A (Ta)

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Envio
Pagamento
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Descrição: MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P

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2SK06620RL

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Descrição: JFET N-CH 20MA 150MW SMINI-3

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2SK06630RL

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Descrição: JFET N-CH 30MA 150MW SMINI-3

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Descrição: MOSFET N-CH 20V .1A SMINI-3

Fabricantes: Panasonic
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Fabricantes: Renesas Electronics America
Disponível
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Fabricantes: Renesas Electronics America
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2SK1340-E

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Descrição: MOSFET N-CH 900V 5A TO-3P

Fabricantes: Renesas Electronics America
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Fabricantes: Panasonic
Disponível
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2SK066400L

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Descrição: MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3

Fabricantes: Panasonic
Disponível
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2SK0601G0L

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Descrição: MOSFET N-CH 80V 0.5A MINIP-3

Fabricantes: Panasonic
Disponível
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