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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > 2SK3483-AZ

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2952018

Imagem 2SK3483-AZ.

Renesas Electronics America

2SK3483-AZ

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

2SK3483-AZ
Fabricante / Marca

Renesas Electronics Corporation
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

2SK3483-AZ.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-251 (MP-3)
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

52 mOhm @ 14A, 10V
Dissipação de energia (Max)

1W (Ta), 40W (Tc)
Embalagem

Bulk
Caixa / Gabinete

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2300pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

N-Channel 100V 28A (Ta) 1W (Ta), 40W (Tc) Through Hole TO-251 (MP-3)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

28A (Ta)

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