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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > HAT2173H-EL-E

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127438

Imagem HAT2173H-EL-E.

Renesas Electronics America

HAT2173H-EL-E

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

2500+

$1.53

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

HAT2173H-EL-E
Fabricante / Marca

Renesas Electronics Corporation
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

HAT2173H-EL-E.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

6V @ 20mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

LFPAK
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

15 mOhm @ 12.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

30W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SC-100, SOT-669
Outros nomes

HAT2173H-EL-E-ND
HAT2173H-EL-ETR
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4350pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

61nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

8V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

N-Channel 100V 25A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount LFPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

25A (Ta)

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