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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > STB150N3LH6

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Imagem STB150N3LH6.

STMicroelectronics

STB150N3LH6

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Especificações

Modelo do Produto

STB150N3LH6
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

STB150N3LH6.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-263 (D²Pak)
Série

DeepGATE™, STripFET™ VI
RDS ON (Max) @ Id, VGS

3 mOhm @ 40A, 10V
Dissipação de energia (Max)

110W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes

497-13263-2
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3800pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

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