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STB200NF04-1

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Especificações

Modelo do Produto

STB200NF04-1
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

STB200NF04-1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

I2PAK
Série

STripFET™ II
RDS ON (Max) @ Id, VGS

3.7 mOhm @ 90A, 10V
Dissipação de energia (Max)

310W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Outros nomes

497-3512-5
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5100pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

210nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

40V
Descrição detalhada

N-Channel 40V 120A (Tc) 310W (Tc) Through Hole I2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

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Remessa
Forma de pagamento

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