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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > STB4NK60Z-1
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839516Imagem STB4NK60Z-1.STMicroelectronics

STB4NK60Z-1

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Disponível
1+
$1.99
50+
$1.601
100+
$1.441
500+
$1.121
1000+
$0.929
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    STB4NK60Z-1
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    STB4NK60Z-1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 50µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    I2PAK
  • Série
    SuperMESH™
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    2 Ohm @ 2A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    70W (Tc)
  • Embalagem
    Tube
  • Caixa / Gabinete
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Outros nomes
    497-12536-5
    STB4NK60Z-1-ND
  • Temperatura de operação
    150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Through Hole
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    510pF @ 25V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    26nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    600V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 600V 4A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I2PAK
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    4A (Tc)

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27/09/2024
Envio
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