STB80N4F6AG

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Especificações

Modelo do Produto

STB80N4F6AG
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.STB80N4F6AG.pdf
2.STB80N4F6AG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

D²PAK (TO-263)
Série

Automotive, AEC-Q101, STripFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

6 mOhm @ 40A, 10V
Dissipação de energia (Max)

70W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes

497-16506-2
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

38 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2150pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

40V
Descrição detalhada

N-Channel 40V 80A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

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Remessa
Forma de pagamento

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Apoiamos vários métodos de pagamento, incluindo cartões de crédito, transferências de arame e outras opções e aceitamos a maioria das moedas.Para pedidos feitos em USD, opções de pagamento adicionais estão disponíveis.Para obter mais detalhes sobre métodos e procedimentos de pagamento, entre em contato com nossa equipe de vendas.

O seguinte é "STB80N4F6AG" produtos relacionados.

STB80NF03L-04-1

Descrição: MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK

Fabricantes: STMicroelectronics

Disponível

STB80N4F6AG

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