STD60N55F3

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

2500+

$1.028

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Especificações

Modelo do Produto

STD60N55F3
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

STD60N55F3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

DPAK
Série

STripFET™ III
RDS ON (Max) @ Id, VGS

8.5 mOhm @ 32A, 10V
Dissipação de energia (Max)

110W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes

497-7972-2
STD60N55F3-ND
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

55V
Descrição detalhada

N-Channel 55V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

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Remessa
Forma de pagamento

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