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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > STD80N6F6
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1905854Imagem STD80N6F6.STMicroelectronics

STD80N6F6

Inquérito On-line

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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    STD80N6F6
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 60V DPAK
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    STD80N6F6.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    DPAK
  • Série
    Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    6.5 mOhm @ 40A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    120W (Tc)
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Outros nomes
    497-13942-2
    STD80N6F6-ND
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    7480pF @ 25V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    122nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    60V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 60V 80A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount DPAK
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)

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27/09/2024
Envio
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Descrição: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK

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