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6518018Imagem STF10N60DM2.STMicroelectronics

STF10N60DM2

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Disponível
1+
$1.92
10+
$1.704
100+
$1.347
500+
$1.044
1000+
$0.825
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Especificações
  • Modelo do Produto
    STF10N60DM2
  • Fabricante / Marca
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    TO-220FP
  • Série
    MDmesh™ DM2
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    530 mOhm @ 4A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    25W (Tc)
  • Embalagem
    Tube
  • Caixa / Gabinete
    TO-220-3 Full Pack
  • Outros nomes
    497-16959
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Through Hole
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    42 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    529pF @ 100V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    600V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 600V 8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)
S29GL128P90TFCR23

S29GL128P90TFCR23

Descrição: IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

Fabricantes: Cypress Semiconductor
Disponível

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