STFI10N65K3

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Especificações

Modelo do Produto

STFI10N65K3
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

STFI10N65K3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 100µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

I2PAKFP (TO-281)
Série

SuperMESH3™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

1 Ohm @ 3.6A, 10V
Dissipação de energia (Max)

35W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Outros nomes

497-13578-5
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1180pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

650V
Descrição detalhada

N-Channel 650V 10A (Tc) 35W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

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Remessa
Forma de pagamento

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O seguinte é "STFI10N65K3" produtos relacionados.

STFI10N62K3

Descrição: MOSFET N CH 620V 8.4A I2PAKFP

Fabricantes: STMicroelectronics

Disponível

STFI10N65K3

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