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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > STFI13NM60N

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Imagem STFI13NM60N.

STMicroelectronics

STFI13NM60N

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Especificações

Modelo do Produto

STFI13NM60N
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK FP
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

STFI13NM60N.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

I2PAKFP (TO-281)
Série

MDmesh™ II
RDS ON (Max) @ Id, VGS

360 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

25W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Outros nomes

497-12857-5
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

790pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

600V
Descrição detalhada

N-Channel 600V 11A (Tc) 25W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

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