STFU6N65

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Especificações

Modelo do Produto

STFU6N65
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

N-CHANNEL 650 V, 1.2 OHM TYP., 4
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220FP
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

2.7 Ohm @ 2A, 10V
Dissipação de energia (Max)

620mW (Ta), 77W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3 Full Pack
Outros nomes

497-16968
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TA)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

42 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

463pF @ 25V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

650V
Descrição detalhada

N-Channel 650V 4A (Tc) 620mW (Ta), 77W (Tc) Through Hole TO-220FP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

Informações Relacionadas
Remessa
Forma de pagamento

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STFU13N65M2

Descrição:

Fabricantes: STMicroelectronics

Disponível

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