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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - Single > STGW35NB60SD

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Imagem STGW35NB60SD.

STMicroelectronics

STGW35NB60SD

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30+

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120+

$4.30

510+

$3.66

1020+

$3.087

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

STGW35NB60SD
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

IGBT 600V 70A 200W TO247
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

STGW35NB60SD.pdf
Modelo ECAD
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

600V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic

1.7V @ 15V, 20A
Condição de teste

480V, 20A, 100 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C

92ns/1.1µs
Alternando Energia

840µJ (on), 7.4mJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-247-3
Série

PowerMESH™
Inversa de tempo de recuperação (trr)

44ns
Power - Max

200W
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-247-3
Outros nomes

497-16202-5
STGW35NB60SD-ND
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

38 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

-
portão de carga

83nC
Descrição detalhada

IGBT 600V 70A 200W Through Hole TO-247-3
Atual - Collector Pulsada (ICM)

250A
Atual - Collector (Ic) (Max)

70A

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