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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - Single > STGW8M120DF3

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Imagem STGW8M120DF3.

STMicroelectronics

STGW8M120DF3

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Disponível

1+

$4.03

30+

$3.234

120+

$2.947

510+

$2.386

1020+

$2.013

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

STGW8M120DF3
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.STGW8M120DF3.pdf
2.STGW8M120DF3.pdf
Modelo ECAD
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

1200V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic

2.3V @ 15V, 8A
Condição de teste

600V, 8A, 33 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C

20ns/126ns
Alternando Energia

390µJ (on), 370µJ (Off)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-247-3
Série

M
Inversa de tempo de recuperação (trr)

103ns
Power - Max

167W
Caixa / Gabinete

TO-247-3
Outros nomes

497-17619
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

Not Applicable
Tempo de entrega padrão do fabricante

42 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

Trench Field Stop
portão de carga

32nC
Descrição detalhada

IGBT Trench Field Stop 1200V 16A 167W Through Hole TO-247-3
Atual - Collector Pulsada (ICM)

32A
Atual - Collector (Ic) (Max)

16A

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