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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - Single > STGWA40H65FB
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STGWA40H65FB

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
600+
$2.677
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    STGWA40H65FB
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    IGBT
  • Status sem chumbo / Status RoHS
  • Fichas de dados
    1.STGWA40H65FB.pdf
    2.STGWA40H65FB.pdf
  • Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)
    650V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, Ic
    2V @ 15V, 40A
  • Condição de teste
    400V, 40A, 5 Ohm, 15V
  • Td (ligar / desligar) @ 25 ° C
    40ns/142ns
  • Alternando Energia
    498µJ (on), 363µJ (off)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    TO-247 Long Leads
  • Série
    HB
  • Power - Max
    283W
  • Caixa / Gabinete
    TO-247-3
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Through Hole
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    42 Weeks
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    Trench Field Stop
  • portão de carga
    210nC
  • Descrição detalhada
    IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-247 Long Leads
  • Atual - Collector Pulsada (ICM)
    160A
  • Atual - Collector (Ic) (Max)
    80A

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
Envio
Pagamento
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Fabricantes: STMicroelectronics
Disponível
RFQ
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Descrição: IGBT

Fabricantes: STMicroelectronics
Disponível
RFQ
STGWA40H65DFB

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Descrição: IGBT TRENCH 650V 80A TO247

Fabricantes: STMicroelectronics
Disponível
RFQ
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Disponível
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Descrição: IGBT 600V 80A 310W TO247

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RFQ
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Descrição: IGBT 1200V 40A TO247-3L

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Descrição: IGBT BIPO 1200V 40A TO247-3

Fabricantes: STMicroelectronics
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Descrição: IGBT

Fabricantes: STMicroelectronics
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Fabricantes: STMicroelectronics
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