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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > STH12N120K5-2
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5691973Imagem STH12N120K5-2.STMicroelectronics

STH12N120K5-2

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
1000+
$6.469
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    STH12N120K5-2
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    STH12N120K5-2.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    H2Pak-2
  • Série
    MDmesh™ K5
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    690 mOhm @ 6A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    250W (Tc)
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Outros nomes
    497-15425-2
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    42 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1370pF @ 100V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    44.2nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    1200V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 1200V 12A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    12A (Tc)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
Envio
Pagamento
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