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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > STH175N4F6-2AG
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6464765Imagem STH175N4F6-2AG.STMicroelectronics

STH175N4F6-2AG

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Disponível
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$1.021
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    STH175N4F6-2AG
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    STH175N4F6-2AG.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    H2Pak-2
  • Série
    Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    2.4 mOhm @ 60A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    150W (Tc)
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Outros nomes
    497-15467-2
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    38 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    7735pF @ 20V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    130nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    40V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 40V 120A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    120A (Tc)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
Envio
Pagamento
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Descrição: MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2

Fabricantes: STMicroelectronics
Disponível
RFQ
STH175N4F6-6AG

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Descrição: MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-6

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Disponível
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Descrição: MOSFET N-CH 80V 90A

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