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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > STI35N65M5

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Imagem STI35N65M5.

STMicroelectronics

STI35N65M5

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

STI35N65M5
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 650V 27A I2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

STI35N65M5.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

I2PAK
Série

MDmesh™ V
RDS ON (Max) @ Id, VGS

98 mOhm @ 13.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

160W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Outros nomes

497-11332-5
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3750pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

83nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

650V
Descrição detalhada

N-Channel 650V 27A (Tc) 160W (Tc) Through Hole I2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

27A (Tc)

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