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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > STL33N60M2
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3862728Imagem STL33N60M2.STMicroelectronics

STL33N60M2

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
3000+
$2.827
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    STL33N60M2
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 600V 21.5A PWRFLAT88
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    STL33N60M2.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    PowerFlat™ (8x8) HV
  • Série
    MDmesh™ II Plus
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    135 mOhm @ 10.75A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    190W (Tc)
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    8-PowerVDFN
  • Outros nomes
    497-14969-2
  • Temperatura de operação
    150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    42 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1700pF @ 100V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    47nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    600V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 600V 22A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    22A (Tc)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
Envio
Pagamento
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Fabricantes: STMicroelectronics
Disponível
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