STL3NM60N

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Especificações

Modelo do Produto

STL3NM60N
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

STL3NM60N.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PowerFlat™ (3.3x3.3)
Série

MDmesh™ II
RDS ON (Max) @ Id, VGS

1.8 Ohm @ 1A, 10V
Dissipação de energia (Max)

2W (Ta), 22W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-PowerVDFN
Outros nomes

497-13351-2
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

42 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

188pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

600V
Descrição detalhada

N-Channel 600V 650mA (Ta), 2.2A (Tc) 2W (Ta), 22W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

650mA (Ta), 2.2A (Tc)

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Remessa
Forma de pagamento

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O seguinte é "STL3NM60N" produtos relacionados.

STL40N10F7

Descrição: MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6

Fabricantes: STMicroelectronics

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