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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > STL60N10F7

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1035224

Imagem STL60N10F7.

STMicroelectronics

STL60N10F7

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Disponível

3000+

$1.397

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

STL60N10F7
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 100V 12A PWRFLAT5X6
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

STL60N10F7.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PowerFlat™ (5x6)
Série

DeepGATE™, STripFET™ VII
RDS ON (Max) @ Id, VGS

18 mOhm @ 6A, 10V
Dissipação de energia (Max)

5W (Ta), 72W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-PowerVDFN
Outros nomes

497-13879-2
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

38 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1640pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

N-Channel 100V 46A (Tc) 5W (Ta), 72W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

46A (Tc)

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