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STL8P2UH7

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Especificações

Modelo do Produto

STL8P2UH7
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 20V 8A POWERFLAT22
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

STL8P2UH7.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PowerFlat™ (2x2)
Série

DeepGATE™, STripFET™ VII
RDS ON (Max) @ Id, VGS

22.5 mOhm @ 4A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)

2.4W (Tc)
Embalagem

Original-Reel®
Caixa / Gabinete

6-PowerWDFN
Outros nomes

497-14997-6
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2390pF @ 16V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

1.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

P-Channel 20V 8A (Tc) 2.4W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (2x2)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

Informações Relacionadas
Remessa
Forma de pagamento

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Fabricantes: 3M

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20/05/2025

5.0

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