STL9P2UH7

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Especificações

Modelo do Produto

STL9P2UH7
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 20V 9A POWERFLAT
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

STL9P2UH7.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PowerFlat™ (3.3x3.3)
Série

STripFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

22.5 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)

2.9W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-PowerVDFN
Outros nomes

497-15147-2
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2390pF @ 16V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

1.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

P-Channel 20V 9A (Tc) 2.9W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

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Remessa
Forma de pagamento

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O seguinte é "STL9P2UH7" produtos relacionados.

STL90N3LLH6

Descrição: MOSFET N-CH 30V 24A POWERFLAT5X6

Fabricantes: STMicroelectronics

Disponível

STL9P2UH7

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