STP10NM65N

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Especificações

Modelo do Produto

STP10NM65N
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 650V 9A TO-220
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

STP10NM65N.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220AB
Série

MDmesh™ II
RDS ON (Max) @ Id, VGS

480 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

90W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3
Outros nomes

497-7499-5
STP10NM65N-ND
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

650V
Descrição detalhada

N-Channel 650V 9A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

Informações Relacionadas
Remessa
Forma de pagamento

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Review (1)

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5.0

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