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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > STP11NM65N
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5602824Imagem STP11NM65N.STMicroelectronics

STP11NM65N

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Disponível
1+
$4.73
50+
$3.804
100+
$3.466
500+
$2.806
1000+
$2.367
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    STP11NM65N
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    STP11NM65N.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    TO-220
  • Série
    MDmesh™ II
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    455 mOhm @ 5.5A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    110W (Tc)
  • Embalagem
    Tube
  • Caixa / Gabinete
    TO-220-3
  • Outros nomes
    497-13108-5
  • Temperatura de operação
    150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Through Hole
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    800pF @ 50V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    29nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    650V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 650V 11A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    11A (Tc)

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27/09/2024
Envio
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