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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > STP18NM80
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2932654Imagem STP18NM80.STMicroelectronics

STP18NM80

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
1+
$7.61
50+
$6.114
100+
$5.571
500+
$4.511
1000+
$3.804
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    STP18NM80
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 800V 17A TO-220
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    STP18NM80.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    TO-220AB
  • Série
    MDmesh™
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    295 mOhm @ 8.5A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    190W (Tc)
  • Embalagem
    Tube
  • Caixa / Gabinete
    TO-220-3
  • Outros nomes
    497-10076-5
  • Temperatura de operação
    150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Through Hole
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    42 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    2070pF @ 50V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    70nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    800V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 800V 17A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    17A (Tc)

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27/09/2024
Envio
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Disponível
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