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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > STP25NM60N

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3527600

Imagem STP25NM60N.

STMicroelectronics

STP25NM60N

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Disponível

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$4.192

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

STP25NM60N
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 600V 21A TO-220
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

STP25NM60N.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220AB
Série

MDmesh™ II
RDS ON (Max) @ Id, VGS

160 mOhm @ 10.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

160W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3
Outros nomes

497-5020-5
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

84nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

600V
Descrição detalhada

N-Channel 600V 21A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

21A (Tc)

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