STP6N65M2

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Especificações

Modelo do Produto

STP6N65M2
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 650V 4A TO-220AB
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

STP6N65M2.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220
Série

MDmesh™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

1.35 Ohm @ 2A, 10V
Dissipação de energia (Max)

60W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3
Outros nomes

497-15040-5
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

226pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

9.8nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

650V
Descrição detalhada

N-Channel 650V 4A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

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Remessa
Forma de pagamento

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Disponível

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5.0

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