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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > STQ2HNK60ZR-AP
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5042573Imagem STQ2HNK60ZR-AP.STMicroelectronics

STQ2HNK60ZR-AP

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
2000+
$0.34
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    STQ2HNK60ZR-AP
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    STQ2HNK60ZR-AP.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 50µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    TO-92-3
  • Série
    SuperMESH™
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    4.8 Ohm @ 1A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    3W (Tc)
  • Embalagem
    Tape & Box (TB)
  • Caixa / Gabinete
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Outros nomes
    497-12344-3
    STQ2HNK60ZRAP
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Through Hole
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    38 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    280pF @ 25V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    600V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 600V 500mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    500mA (Tc)

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27/09/2024
Envio
Pagamento
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Fabricantes: STMicroelectronics
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RFQ
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