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2479853Imagem STS10DN3LH5.STMicroelectronics

STS10DN3LH5

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$0.665
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Especificações
  • Modelo do Produto
    STS10DN3LH5
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    STS10DN3LH5.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    8-SO
  • Série
    STripFET™ V
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    21 mOhm @ 5A, 10V
  • Power - Max
    2.5W
  • Embalagem
    Cut Tape (CT)
  • Caixa / Gabinete
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Outros nomes
    497-10011-1
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    475pF @ 25V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    4.6nC @ 5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica FET
    Logic Level Gate
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    30V
  • Descrição detalhada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 10A 2.5W Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    10A

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