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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > STS26N3LLH6
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842923Imagem STS26N3LLH6.STMicroelectronics

STS26N3LLH6

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
1+
$2.79
10+
$2.521
100+
$2.026
500+
$1.575
1000+
$1.305
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    STS26N3LLH6
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 30V 26A 8-SOIC
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    STS26N3LLH6.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    8-SO
  • Série
    DeepGATE™, STripFET™ VI
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    4.4 mOhm @ 13A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    2.7W (Ta)
  • Embalagem
    Cut Tape (CT)
  • Caixa / Gabinete
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Outros nomes
    497-12348-1
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    4040pF @ 25V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    40nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    4.5V, 10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    30V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 30V 26A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    26A (Tc)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
Envio
Pagamento
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