STSJ100NHS3LL

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Disponível

2500+

$1.988

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Especificações

Modelo do Produto

STSJ100NHS3LL
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 30V 20A PWR8SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

STSJ100NHS3LL.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±16V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-SOIC-EP
Série

STripFET™ III
RDS ON (Max) @ Id, VGS

4.2 mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max)

3W (Ta), 70W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

3 (168 Hours)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4200pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 100A (Tc) 3W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount 8-SOIC-EP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

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Remessa
Forma de pagamento

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STSPIN233

Descrição:

Fabricantes: STMicroelectronics

Disponível

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