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1152494Imagem STU8NM60ND.STMicroelectronics

STU8NM60ND

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Disponível
3000+
$2.008
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    STU8NM60ND
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    STU8NM60ND.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    I-PAK
  • Série
    FDmesh™ II
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    700 mOhm @ 3.5A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    70W (Tc)
  • Embalagem
    Tube
  • Caixa / Gabinete
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Temperatura de operação
    150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Through Hole
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    560pF @ 50V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    22nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    600V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 600V 7A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    7A (Tc)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
Envio
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