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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > STV200N55F3
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1648514Imagem STV200N55F3.STMicroelectronics

STV200N55F3

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
1+
$7.96
10+
$7.107
100+
$5.828
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    STV200N55F3
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    STV200N55F3.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    10-PowerSO
  • Série
    STripFET™
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    2.5 mOhm @ 75A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    300W (Tc)
  • Embalagem
    Cut Tape (CT)
  • Caixa / Gabinete
    PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
  • Outros nomes
    497-7028-1
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    6800pF @ 25V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    100nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    55V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 55V 200A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount 10-PowerSO
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    200A (Tc)

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27/09/2024
Envio
Pagamento
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