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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > STW12NM60N

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Imagem STW12NM60N.

STMicroelectronics

STW12NM60N

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

600+

$2.864

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

STW12NM60N
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 600V 10A TO-247
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

STW12NM60N.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-247-3
Série

MDmesh™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

410 mOhm @ 5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

90W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-247-3
Outros nomes

497-7615-5
STW12NM60N-ND
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

960pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

30.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

600V
Descrição detalhada

N-Channel 600V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-247-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

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