STW19NM65N

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Especificações

Modelo do Produto

STW19NM65N
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-247
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

STW19NM65N.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-247-3
Série

MDmesh™ II
RDS ON (Max) @ Id, VGS

270 mOhm @ 7.75A, 10V
Dissipação de energia (Max)

150W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-247-3
Outros nomes

497-7033-5
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

650V
Descrição detalhada

N-Channel 650V 15.5A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

15.5A (Tc)

Informações Relacionadas
Remessa
Forma de pagamento

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O seguinte é "STW19NM65N" produtos relacionados.

STW200NF03

Descrição: MOSFET N-CH 30V 120A TO-247

Fabricantes: STMicroelectronics

Disponível

STW19NM65N

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