STW23NM50N

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600+

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Especificações

Modelo do Produto

STW23NM50N
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 500V 17A TO-247
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

STW23NM50N.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-247-3
Série

MDmesh™ II
RDS ON (Max) @ Id, VGS

190 mOhm @ 8.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

125W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-247-3
Outros nomes

497-10974-5
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

42 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1330pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

500V
Descrição detalhada

N-Channel 500V 17A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

17A (Tc)

Informações Relacionadas
Remessa
Forma de pagamento

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O seguinte é "STW23NM50N" produtos relacionados.

SIT1602BC-11-18E-30.000000D

Descrição: -20 TO 70C, 2520, 20PPM, 1.8V, 3

Fabricantes: SiTime

Disponível

RFQ

Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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