STW58N65DM2AG

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Disponível

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10+

$12.964

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Especificações

Modelo do Produto

STW58N65DM2AG
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

STW58N65DM2AG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-247
Série

Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
RDS ON (Max) @ Id, VGS

65 mOhm @ 24A, 10V
Dissipação de energia (Max)

360W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-247-3
Outros nomes

497-16137-5
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

42 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4100pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

88nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

650V
Descrição detalhada

N-Channel 650V 48A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

48A (Tc)

Informações Relacionadas
Remessa
Forma de pagamento

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Apoiamos vários métodos de pagamento, incluindo cartões de crédito, transferências de arame e outras opções e aceitamos a maioria das moedas.Para pedidos feitos em USD, opções de pagamento adicionais estão disponíveis.Para obter mais detalhes sobre métodos e procedimentos de pagamento, entre em contato com nossa equipe de vendas.

O seguinte é "STW58N65DM2AG" produtos relacionados.

STW65N80K5

Descrição:

Fabricantes: STMicroelectronics

Disponível

STW58N65DM2AG

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