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Casa > Produtos > Circuitos integrados (ICs) > MPCI - Switches de distribuição de energia, contro > VND7NV0413TR
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5743691Imagem VND7NV0413TR.STMicroelectronics

VND7NV0413TR

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
2500+
$0.854
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    VND7NV0413TR
  • Fabricante / Marca
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET POWER 40V 6A DPAK
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
  • Tensão - Abastecimento (Vcc / VDD)
    Not Required
  • Tensão - Carga
    36V (Max)
  • Tipo de interruptor
    General Purpose
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    DPAK
  • Série
    OMNIFET II™, VIPower™
  • Rds On (Tipo)
    60 mOhm (Max)
  • Rácio - Entrada: Saída
    1:1
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Tipo de saída
    N-Channel
  • Configuração de saída
    Low Side
  • Temperatura de operação
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Número de saídas
    1
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Interface
    On/Off
  • Tipo de entrada
    Non-Inverting
  • Características
    -
  • Proteção contra Falhas
    Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
  • Atual - Saída (Max)
    6A
  • Número da peça base
    VN*7NV
VND810MSPTR-E

VND810MSPTR-E

Descrição: IC DVR HIGH SIDE 2CH POWERSO10

Fabricantes: STMicroelectronics
Disponível
VND7NV04TR-E

VND7NV04TR-E

Descrição: MOSFET POWER 40V 6A DPAK

Fabricantes: STMicroelectronics
Disponível
VND81013TR

VND81013TR

Descrição: IC DRVR HISIDE 2CH 16-SOIC

Fabricantes: STMicroelectronics
Disponível
VND7NV04-1

VND7NV04-1

Descrição: MOSFET POWER 40V 6A IPAK

Fabricantes: STMicroelectronics
Disponível
VND810MSP

VND810MSP

Descrição: IC DRVR HISIDE 2CH POWERSO10

Fabricantes: STMicroelectronics
Disponível
VND810MSP-E

VND810MSP-E

Descrição: IC DVR HIGH SIDE 2CH POWERSO10

Fabricantes: STMicroelectronics
Disponível
VND810

VND810

Descrição: IC DRVR HISIDE 2CH 16-SOIC

Fabricantes: STMicroelectronics
Disponível
VND7N04-1-E

VND7N04-1-E

Descrição: MOSFET OMNIFET 42V 7A IPAK

Fabricantes: STMicroelectronics
Disponível
VND810PEPTR-E

VND810PEPTR-E

Descrição: IC DRIVER HI SIDE 2CH POWERSSO12

Fabricantes: STMicroelectronics
Disponível
VND810MSP13TR

VND810MSP13TR

Descrição: IC DRVR HISIDE 2CH POWERSO10

Fabricantes: STMicroelectronics
Disponível
VND7N04-E

VND7N04-E

Descrição: MOSFET OMNIFET 42V 7A DPAK

Fabricantes: STMicroelectronics
Disponível
VND7N04

VND7N04

Descrição: MOSFET POWER 42V 7A DPAK

Fabricantes: STMicroelectronics
Disponível
VND7NV04

VND7NV04

Descrição: MOSFET N-CH 40V 6A DPAK

Fabricantes: STMicroelectronics
Disponível
VND7NV04-1-E

VND7NV04-1-E

Descrição: MOSFET OMNIFETII 40V 6A IPAK

Fabricantes: STMicroelectronics
Disponível
VND7N04TR-E

VND7N04TR-E

Descrição: MOSFET OMNIFET 42V 7A DPAK

Fabricantes: STMicroelectronics
Disponível
VND7N04-1

VND7N04-1

Descrição: MOSFET POWER 42V 7A IPAK

Fabricantes: STMicroelectronics
Disponível
VND810PEP-E

VND810PEP-E

Descrição: IC DRIVER HI SIDE 2CH POWERSSO12

Fabricantes: STMicroelectronics
Disponível
VND7NV04-E

VND7NV04-E

Descrição: MOSFET N-CH 40V 6A TO252

Fabricantes: STMicroelectronics
Disponível
VND810-E

VND810-E

Descrição: IC DRIVER HIGH SIDE 2CH 16-SOIC

Fabricantes: STMicroelectronics
Disponível
VND7N0413TR

VND7N0413TR

Descrição: MOSFET N-CH 40V 6A DPAK

Fabricantes: STMicroelectronics
Disponível

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