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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Diodos - retificadores - Single > ES3F M6G
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7069566Imagem ES3F M6G.TSC (Taiwan Semiconductor)

ES3F M6G

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
6000+
$0.157
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    ES3F M6G
  • Fabricante / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    ES3F M6G.pdf
  • Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se
    1.3V @ 3A
  • Tensão - DC reversa (Vr) (Max)
    300V
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    DO-214AB (SMC)
  • Velocidade
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Série
    -
  • Inversa de tempo de recuperação (trr)
    35ns
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    DO-214AB, SMC
  • Outros nomes
    ES3F M6G-ND
    ES3FM6G
  • Temperatura de Operação - Junção
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo Diode
    Standard
  • Descrição detalhada
    Diode Standard 300V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Atual - dispersão reversa @ Vr
    10µA @ 300V
  • Atual - rectificada média (Io)
    3A
  • Capacitância @ Vr, F
    30pF @ 4V, 1MHz

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Envio
Pagamento
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ES3F-M3/57T

ES3F-M3/57T

Descrição: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
ES3FBHM4G

ES3FBHM4G

Descrição: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
ES3DV V6G

ES3DV V6G

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
ES3F V7G

ES3F V7G

Descrição: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
ES3DVHM6G

ES3DVHM6G

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
ES3DPX

ES3DPX

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 3A CFP5

Fabricantes: Nexperia
Disponível
RFQ
ES3DHR7G

ES3DHR7G

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
ES3F V6G

ES3F V6G

Descrição: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
ES3DVHR7G

ES3DVHR7G

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
ES3F-E3/9AT

ES3F-E3/9AT

Descrição: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
ES3F R7G

ES3F R7G

Descrição: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
ES3F-E3/57T

ES3F-E3/57T

Descrição: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
ES3F-M3/9AT

ES3F-M3/9AT

Descrição: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
ES3DV V7G

ES3DV V7G

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
ES3FB R5G

ES3FB R5G

Descrição: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
ES3DV M6G

ES3DV M6G

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
ES3FB M4G

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Descrição: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
ES3DHM6G

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Descrição: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
ES3DHE3_A/I

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Descrição: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
ES3DV R7G

ES3DV R7G

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
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