ES3J V6G

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Especificações

Modelo do Produto

ES3J V6G
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

ES3J V6G.pdf
Tensão - DC reversa (Vr) (Max)

600V
Embalagem do dispositivo fornecedor

DO-214AB (SMC)
Velocidade

Fast Recovery = 200mA (Io)
Série

-
Inversa de tempo de recuperação (trr)

35ns
Caixa / Gabinete

DO-214AB, SMC
Outros nomes

ES3J V6G-ND
ES3JV6G
Temperatura de Operação - Junção

-55°C ~ 150°C
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

8 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode

Standard
Descrição detalhada

Diode Standard 600V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
Atual - dispersão reversa @ Vr

10µA @ 600V
Atual - rectificada média (Io)

3A
Capacitância @ Vr, F

30pF @ 4V, 1MHz

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