HER601G B0G

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Especificações

Modelo do Produto

HER601G B0G
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

DIODE GEN PURP 50V 6A R-6
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

HER601G B0G.pdf
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se

1V @ 6A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max)

50V
Embalagem do dispositivo fornecedor

R-6
Velocidade

Fast Recovery = 200mA (Io)
Série

-
Inversa de tempo de recuperação (trr)

50ns
Embalagem

Bulk
Caixa / Gabinete

R6, Axial
Outros nomes

HER601G B0G-ND
HER601GB0G
Temperatura de Operação - Junção

-55°C ~ 150°C
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

12 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode

Standard
Descrição detalhada

Diode Standard 50V 6A Through Hole R-6
Atual - dispersão reversa @ Vr

10µA @ 50V
Atual - rectificada média (Io)

6A
Capacitância @ Vr, F

80pF @ 4V, 1MHz

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